本文目录
- 常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数
- 带tvs的mos管型号
- 600V/650V大功率MOS管有哪些型号规格参数有哪些品牌
- mos管的常见型号
- 液晶驱动板常用mos管型号
- 常用MOS管有哪些型号
- 常用的mos管有哪些
- 求P型MOS管型号
- 场效应管的型号有多少
- 主板上的 mos管 型号参数区别.
常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数
500V20A的MOS，500V22A，500V25A的MOS，500V28A，500V30A，500V33A的MOS，500V35A，500V37A，500V40A的MOS，500V42A，500V45A，500V48A的MOS，500V50A，500V53A，500V55A，500V57A，500V60A的MOS，500V63A，500V67A，500V70A，500V72A的MOS，500V74A，500V77A，500V80A，500V85A，500V88A的MOS，500V90A，500V95A，500V100A，500V110A，500V120A的MOS管。
海飞乐技术，台湾芯片，封装有TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227
600V20A的MOS，600V22A，600V25A的MOS，600V28A，600V30A，600V33A的MOS，600V35A，600V37A，600V40A的MOS，600V42A，600V45A，600V48A的MOS，600V50A，600V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
带tvs的mos管型号
封装的TVS管有：SMAJ系列、P4SMA系列、6AJ系列、SMAJH系列。MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）。
600V/650V大功率MOS管有哪些型号规格参数有哪些品牌
海飞乐技术封装600VMOS管，600V/5A，600V/8A，600V/10A，600V/12A，600V/15A，600V20A的MOSFET（650V），600V/29A的MOS，600V/30A的MOS管（650V） 600V/33A的MOSFET，600V/34A的MOS管，600V/38A的MOSFET，600V40A MOS，600V/45A的MOS， 600V/47A的MOS（650V）， 600V/50A的MOS管10. 600V/55A的MOS管（650V），600V/60A的MOS模块，600V/65A，600V68A，600V70A，600V/80A的MOSFET，600V/82A，600V/85A，600V/88A，600V/90A
mos管的常见型号
型号 电压/电流 封装 2N7000 60V,0.115A TO-922N7002 60V,0.2A SOT-23IRF510A 100V,5.6A TO-220IRF520A 100V,9.2A TO-220IRF530A 100V,14A TO-220IRF540A 100V,28A TO-220IRF610A 200V,3.3A TO-220IRF620A 200V,5A TO-220IRF630A 200V,9A TO-220IRF634A 250V,8.1A TO-220IRF640A 200V,18A TO-220IRF644A 250V,14A TO-220IRF650A 200V,28A TO-220IRF654A 250V,21A TO-220IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF730A 400V,5.5A TO-220IRF740A 400V,10A TO-220IRF750A 400V,15A TO-220IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF840A 500V,8A TO-220IRFP150A 100V,43A TO-3PIRFP250A 200V,32A TO-3PIRFP450A 500V,14A TO-3PIRFR024A 60V,15A D-PAKIRFR120A 100V,8.4A D-PAKIRFR214A 250V,2.2A D-PAKIRFR220A 200V,4.6A D-PAKIRFR224A 250V,3.8A D-PAKIRFR310A 400V,1.7A D-PAK
液晶驱动板常用mos管型号
NMOS2N7002。在液晶显示器的外壳，有几块电路板。其中设计比较紧凑的电路板就是液晶显示器的主板，通常称为“驱动板”，驱动MOS管型号有很多，其中常用的有NMOS2N7002。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。
常用MOS管有哪些型号
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
常用的mos管有哪些
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。一、结型场效应管（JFET）结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。二、绝缘栅场效应管1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
求P型MOS管型号
场效应管分类 型号 简介 封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAKDISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAKDISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAKDISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAKDISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAKDISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOPDISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOPDISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOPDISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3PDISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3PDISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAKDISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P)DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P)DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)如有出入请明示，争取完善、正确！
场效应管的型号有多少
IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
主板上的 mos管 型号参数区别.
那要看你的主板是什么牌子的，每个品牌的主板签的供应商都不一样，各家品牌的主板都有各自的喜好。我随意列举一些，完全说完是不可能的，主板的牌子太多了，而且不同的时期签约的供应商也会不同。华硕从p55开始喜欢用nxp的mos管。之前喜欢用nikosemi。微星从p45开始喜欢在高端主板上用renesas的drmos，有时也用onsemi。技嘉从p35开始用necel的mos，necel被收购后换了onsemi。低端板子也是nikosemi的天下。intel的主板多数时候用onsemi，infineon都用过，最近的p67突然启用民用消费类市场很少见的大牌子，vishay。华擎则从p45开始就签了很少见的意法半导体。总结来说，除了华硕比较另类签下了nxp，其它牌子用的多的都是onsemi，常见型号例如ntmfs4935/4845/4841，ntd4805/4809/4959。这和onsemi可靠的性能及相对平和的价格不无关系——通常cpu和ram附近的供电都很经常见到onsemi的管子。余下要求不高的地方，例如中低价位主板、南桥芯片、某些桥接的功能芯片供电、或者pll参考电压等位置则是台系mos的天下，因为价格便宜。常见牌子例如anpec、nikosemi，apm3004/apm3009，p75n02。不过最近也有个新锐出现，那就是ubiq。请采纳谢谢。
